SanDisk開發32納米NAND快閃技術

突破現有技術，為microSD卡注入更大容量 SanDisk嶄新的All Bit-Line (ABL)架構及32nm處理技術的進步，保障43nm處理技術的優質效能
全球快閃記憶體供應商領導品牌SanDisk和東芝株式會社今天宣布，以32納米（nm）處理技術生產32Gb的3-bits-per-cell (X3) 記憶體晶片，共同開發多層單元式晶片 (Multi-Level Cell，簡稱MLC) NAND快閃記憶體。該項突破預期能夠為記憶卡至固態硬盤（Solid State Drive，簡稱SSD）等市場帶來先進的技術，以提高產品容量、降低製造成本。
SanDisk共同創始人兼總裁Sanjay Mehrotra表示：「在推出56 nm3-bits-per-cell的第一代產品後的一年半時間內，我們已開發第三代32nm的3-bits-per-cell技術，充分證明我們擁有世界級的記憶體晶片開發步伐。透過該項全新的技術，我們既可降低製造成本，更能夠為出色的晶片尺寸設計，注入更高的記憶體容量晶片 – 這些都有助拓展我們各種的產品線。SanDisk在這最新研發所彰顯的科技智慧及創新技術，最終將為消費者帶來莫大裨益。」
32nm X3技術—microSD應用的最佳選擇 建基於32nm技術的 32Gb X3為目前最小的NAND快閃記憶體晶粒，適用於指甲大小的microSD記憶卡格式，這種格式廣泛應用於流動電話和其他消費電子裝置中。32nm 32Gb X3是世界上密度最高的microSD記憶體晶粒，能夠在晶粒面積保持不變的前提下，提供高於43nm microSD晶片兩倍的容量。 32nm處理技術及電路設計的進步，對面積113mm2記憶體晶粒的設計作出巨大貢獻，而SanDisk專利的All-Bit-Line （ABL）架構在提高X3抄寫效能方面起了重要的推動作用。
SanDisk OEM業務部和企業工程執行副總裁Yoram Cedar表示：「32nm X3記憶體晶粒的纖細體積及帶來的驚人晶粒密度，使microSD卡的容量提升不再為天方夜談。隨著市場對高記憶體容量的流動電話的需求日益提高，microSD的纖小尺寸將越來越受消費者青睞，X3無疑能夠讓我們為市場帶來耳目一新的產品。」
建基於SanDisk核心技術 32nm是目前最先進的快閃記憶體技術，它需要先進的方案來管理晶粒尺寸的變化。 32nm技術揉合多種創新科技，讓晶粒面積的減小幅度，遠超摩爾定律中的趨勢線。
SanDisk記憶體技術部副總裁Klaus Schuegraf表示：「32nm技術基於SanDisk 43nm浸沒式光刻技術的成功例範，採用間隙壁工藝，不會增加在昂貴光刻設備方面的投資。 SanDisk將其業界領先的64-bit NAND字串長度降至32nm，同時以創新的程序算法和系統設計彌補位與位（bit to bit）間的干擾影響。」
SanDisk和東芝公司株式會社在2009國際固態電路會議（ISSCC）上共同發布有關32nm 32Gb X3 NAND快閃記憶體的的聯合文章，介紹可促成32nm的技術革新。32nm 32Gb X3預計在2009年下半年開始投入生產。
關於SanDisk
SanDisk是快閃記憶卡的原創者及全球最大的快閃記憶卡供應商，由科研、生產、產品設計、消費品牌、零售渠道均領導全球。SanDisk產品包括手機、數碼相機、手提攝錄機使用的快閃記憶卡；數碼影音流動播放器、消費者及企業用的USB快閃碟、流動裝置用的嵌入式記憶體；電腦用的SSD。SanDisk (www.sandisk.com/corporate) 為標普500指數公司，總部位於美國矽谷，公司過半數銷售量來自美國境外。